Моя заявка (0)

IPD50P03P4L11ATMA2, 30V 50A 58W 10.5mOhm@50A,10V 2V@85uA P Channel 3770pF@25V 55nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TO-252-3-11 MOSFETs

IPD50P03P4L11ATMA2, 30V 50A 58W 10.5mOhm@50A,10V 2V@85uA P Channel 3770pF@25V 55nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TO-252-3-11 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070163986
Артикул
IPD50P03P4L11ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.41
Channel Type
P Channel
Package Type
PG-TO252-3-11
Mounting Type
SMD
Цена по запросу
(от 117,70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS-2 отличается наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости при высочайшей тепловой эффективности.

Технические параметры

Вес, г0.41
Channel TypeP Channel
Package TypePG-TO252-3-11
Mounting TypeSMD
Power Dissipation58Вт
КвалификацияAEC-Q101
Maximum Drain Source Voltage30 V
Drain Source On State Resistance0.0083Ом
Maximum Continuous Drain Current50 A
Линейка ПродукцииOptiMOS-P2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока50А
Рассеиваемая Мощность58Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0083Ом

Техническая документация