Моя заявка (0)
P-Channel MOSFET, 50 A, 30 V PG-TO252-3-11 IPD50P03P4L11ATMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973783
Артикул
IPD50P03P4L11ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
P
Package Type
PG-TO252-3-11
Корпус
to252
Цена по запросу
(от 327,02 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS-2 отличается наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости при высочайшей тепловой эффективности.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeP
Package TypePG-TO252-3-11
Корпусto252
Mounting TypeSMD
Power Dissipation58Вт
СтруктураP-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Maximum Drain Source Voltage30 V
Drain Source On State Resistance0.0083Ом
Maximum Continuous Drain Current50 A
Линейка ПродукцииOptiMOS-P2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока50А
Рассеиваемая Мощность58Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0083Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В+5/-16В

Техническая документация