Моя заявка (0)

IPD50N10S3L16ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 38А; Idm: 200А

IPD50N10S3L16ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 38А; Idm: 200А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073825082
Артикул
IPD50N10S3L16ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
0.8
Channel Type
N
Package Type
DPAK(TO-252)
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon MOSFET OptiMOSTM является экологически чистым продуктом, соответствующим требованиям RoHS, и имеет автомобильный сертификат AEC Q101.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.8
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Continuous Drain Current50 A

Техническая документация

IPD50N10S3L16ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG.: купить | ЭПЛ