Моя заявка (0)

IPD50N06S4L12ATMA2, 60V 50A 12mOhm@50A,10V 50W 2.2V@20uA N Channel 2890pF@25V 40nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TO-252-3-11 MOSFETs ROHS

IPD50N06S4L12ATMA2, 60V 50A 12mOhm@50A,10V 50W 2.2V@20uA N Channel 2890pF@25V 40nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TO-252-3-11 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070071104
Артикул
IPD50N06S4L12ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS™-T2
Pin Count
3
Вес, г
0.5
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 127,25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный МОП-транзистор Infineon OptiMOS™-T2 серии N-channel. Он имеет тип корпуса DPAK (TO-252). Режим N-канального расширения

Технические параметры

SeriesOptiMOS™-T2
Pin Count3
Вес, г0.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation50Вт
Transistor MaterialSi
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Continuous Drain Current (Id)50A
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Drain Source Resistance0.012 Ω
Drain Source On State Resistance0.0096Ом
Maximum Continuous Drain Current50 A
Линейка ПродукцииOptiMOS T2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока50А
Рассеиваемая Мощность50Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0096Ом

Техническая документация