IPD50N06S4L08ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 47А; Idm: 200А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070077036
- Артикул
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.42
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 136,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.42 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Silicon |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0078 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |