Моя заявка (0)

IPD50N06S409ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 47А; Idm: 200А

IPD50N06S409ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 47А; Idm: 200А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065567601
Артикул
IPD50N06S409ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS
Pin Count
3
Вес, г
0.45
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 86 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPD50N06S4-09, SP001028662

Технические параметры

SeriesOptiMOS
Pin Count3
Вес, г0.45
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation71Вт
Transistor MaterialSi
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.009 Ω
Drain Source On State Resistance0.0071Ом
Maximum Continuous Drain Current50 A
Линейка ПродукцииOptiMOS T2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока50А
Рассеиваемая Мощность71Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175 C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0071Ом

Техническая документация