IPD50N06S2L13ATMA2, 55V 50A 12.7mOhm@34A,10V 136W 2V@80uA N Channel 1800pF@25V 69nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TO-252-3-11 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070091904
- Артикул
- IPD50N06S2L13ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 117,88 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IPD50N06S2L-13, SP001063626
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 29 ns |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD50N06S2L-13 SP001063626 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 69 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0127 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0102Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.7 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0102Ом |