IPD50N04S408ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0072 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8542022697
- Артикул
- IPD50N04S408ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 22.4 nC
- V(DS)
- 40 V
- Width
- 6.22mm
- P(tot)
- 46 W
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новый OptiMOS™ -T2 от Infineon оснащен рядом энергоэффективныx MOSFET-транзисторов с уменьшением выбросов CO2 и электроприводами.
Технические параметры
| Q(g) | 22.4 nC |
| V(DS) | 40 V |
| Width | 6.22mm |
| P(tot) | 46 W |
| Series | OptiMOS T2 |
| Package | DPAK |
| R(thJC) | 3.3 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Technology | OptiMOS T2 |
| Вес, г | 0.3 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 7.9 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 50 A |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 46 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.9 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 408 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 46 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0072 Ом |