Моя заявка (0)

IPD50N04S308ATMA1, Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

IPD50N04S308ATMA1, Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001484310
Артикул
IPD50N04S308ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 150 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 40V 50A Автомобильный AEC-Q101 3-контактный(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusNRND
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width6.22
Package Length6.5
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)6
Typical Rise Time (ns)7
Особенностиавтомобильные приложения
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)68000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)27
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)27@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)11
Maximum Drain-Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)16
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)50
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1800@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)7.5@10V
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)200
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)5.9@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А308
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация