IPD50N03S4L06ATMA1, 30V 50A 5.5mOhm@50A,10V 56W 2.2V@20uA N Channel 2330pF@25V 31nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TO-252-3-11 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070070133
- Артикул
- IPD50N03S4L06ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.5
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 56Вт
- Квалификация
- AEC-Q101
Цена по запросу
(от 102,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новый OptiMOS™ -T2 от Infineon оснащен рядом энергоэффективныx MOSFET-транзисторов с уменьшением выбросов CO2 и электроприводами.
Технические параметры
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 56Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0049Ом |
| Линейка Продукции | OptiMOS T2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |