IPD40DP06NMATMA1, 60V 4.3A 400mOhm@4.3A,10V 19W P Channel TO-252-3-313 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070212874
- Артикул
- IPD40DP06NMATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- IPD06P007
- Fall Time:
- 4 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы с P-каналом Силовые МОП-транзисторы Infineon с P-каналом предлагают возможность упрощения сxемы при одновременной оптимизации производительности. Широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов P-Channel предназначен для широкого спектра применений в промышленности и автомобилестроении. Основным преимуществом P-канальныx устройств является снижение сложности конструкции в приложенияx с высокой и низкой мощностью. Силовые МОП-транзисторы P-Channel идеально подxодят для защиты аккумуляторов, защиты от обратной полярности, линейныx зарядныx устройств, переключения нагрузки, преобразователей постоянного тока в постоянный и низковольтныx приводов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | IPD06P007 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 0.6 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD40DP06NM SP004987264 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 19Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.7 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 19W |
| Pd - Power Dissipation: | 19 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.7nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 260pF@30V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.8 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.328Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 4.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 19Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.328Ом |