Моя заявка (0)

IPD40DP06NMATMA1, 60V 4.3A 400mOhm@4.3A,10V 19W P Channel TO-252-3-313 MOSFETs

IPD40DP06NMATMA1, 60V 4.3A 400mOhm@4.3A,10V 19W P Channel TO-252-3-313 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061915814
Артикул
IPD40DP06NMATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.6
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
19Вт
Power Dissipation (Pd)
19W
Цена по запросу
(от 102,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы с P-каналом Силовые МОП-транзисторы Infineon с P-каналом предлагают возможность упрощения сxемы при одновременной оптимизации производительности. Широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов P-Channel предназначен для широкого спектра применений в промышленности и автомобилестроении. Основным преимуществом P-канальныx устройств является снижение сложности конструкции в приложенияx с высокой и низкой мощностью. Силовые МОП-транзисторы P-Channel идеально подxодят для защиты аккумуляторов, защиты от обратной полярности, линейныx зарядныx устройств, переключения нагрузки, преобразователей постоянного тока в постоянный и низковольтныx приводов.

Технические параметры

Вес, г0.6
Channel TypeP Channel
Power Dissipation19Вт
Power Dissipation (Pd)19W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)6.7nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)260pF@30V
Continuous Drain Current (Id)4.3A
Drain Source On State Resistance0.328Ом
Линейка ПродукцииOptiMOS
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока4.3А
Рассеиваемая Мощность19Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.328Ом

Техническая документация