Моя заявка (0)

IPD Type N-Channel MOSFET, 35 A, 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD35N12S3L24ATMA1

IPD Type N-Channel MOSFET, 35 A, 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD35N12S3L24ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973782
Артикул
IPD35N12S3L24ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PG-TO252-3-11
Корпус
to252
Цена по запросу
(от 317,11 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS-T - это мощный МОП-транзистор для применения в автомобилестроении. Его рабочая температура составляет 175°C.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePG-TO252-3-11
Корпусto252
Mounting TypeSMD
Power Dissipation71Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Maximum Drain Source Voltage120 V
Drain Source On State Resistance0.02Ом
Maximum Continuous Drain Current35 A
Линейка ПродукцииOptiMOS-T
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока35А
Рассеиваемая Мощность71Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds120В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.02Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация