IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 25А; Idm: 140А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070071074
- Артикул
- IPD35N10S3L26ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 39 nC
- V(DS)
- 100 V
- P(tot)
- 71 W
- Series
- OptiMOS™-T
Цена по запросу
(от 144,55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный автомобильный МОП-транзистор серии Infineon OptiMOS™-T интегрирован в корпус типа DPAK (TO-252).
Технические параметры
| Q(g) | 39 nC |
| V(DS) | 100 V |
| P(tot) | 71 W |
| Series | OptiMOS™-T |
| Тип | MOSFET |
| Package | DPAK |
| R(thJC) | 2.1 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Technology | OptiMOS |
| Вес, г | 0.8 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 26 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 35 A |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-71 Вт |
| Описание | N-Channel MOSFET 100 V 35A(Tc)71W(Tc)Surface Mount PG-TO252-3-11 |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 2700 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.026 Ω |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Заряд затвора, нКл | 39 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 35 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 39*37*39/1000 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 24 |