IPD33CN10NGATMA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 27 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8484071824
- Артикул
- IPD33CN10NGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS™ 2
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ мощностью 100 В предлагают превосxодные решения для SMP-устройств с высокой эффективностью и плотностью энергопотребления.
Технические параметры
| Series | OptiMOS™ 2 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.033 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 27 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.025 Ом |