IPD30N12S3L31ATMA1, 120V 30A 31mOhm@30A,10V 57W 2.4V@29uA null TO-252 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070123089
- Артикул
- IPD30N12S3L31ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 3 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор Infineon MOSFET OptiMOSTM для применения в автомобилестроении является экологически чистым продуктом, соответствующим требованиям RoHS, и имеет автомобильный сертификат AEC Q101.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD30N12S3L-31 SP001398654 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 57 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 120 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 31 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |