IPD30N10S3L34ATMA1, Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001484322
- Артикул
- IPD30N10S3L34ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Type
- Power MOSFET
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 6.22 mm
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 427 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | Power MOSFET |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 6.22 mm |
| Height | 2.3 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Series | OptiMOS-T |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Fall Time | 3 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 4 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.6 |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Rad Hardened | No |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Part # Aliases | IPD30N10S3L34ATMA1 IPD30N10S3L34XT SP000261248 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 31 nC |
| Power Dissipation | 57(W) |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Drain-Source On-Res | 0.031(ohm) |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 57 W |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Continuous Drain Current | 30(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 57 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 42 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 25.8 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 57 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |