IPD30N08S2L21ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS®; полевой; 75В; 30А; Idm: 120А; 136Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062404022
- Артикул
- IPD30N08S2L21ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- N Channel
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 11 ns
- Rise Time:
- 30 ns
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
75 В 30 А 136 Вт 20.5mOhm@25A,10 В 2 В при 80uA N-канальные МОП-транзисторы TO-252, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 0.48 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD30N08S2L-21 SP000252170 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 72 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 136W |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 72nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.65nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 44 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |