Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET TransIstor & DIode, 30 A, 60 V, 3-PIn DPAK InfIneon IPD30N06S4L23ATMA2

N-Channel MOSFET TransIstor & DIode, 30 A, 60 V, 3-PIn DPAK InfIneon IPD30N06S4L23ATMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063755012
Артикул
IPD30N06S4L23ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 141,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPD30N06S4L-23, SP001028638 • Силовой транзистор Optima® -T2 • N-канальный, режим усиления • Соответствует стандарту AEC Q101 для автомобильной промышленности • 100%-ная лавинная проверка

Технические параметры

SeriesOptiMOS
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation38Вт
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Gate Threshold Voltage16V
Maximum Drain Source Resistance0.023 O
Drain Source On State Resistance0.018Ом
Maximum Continuous Drain Current30 A
Линейка ПродукцииOptiMOS T2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока30А
Рассеиваемая Мощность38Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175 C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.018Ом

Техническая документация