OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 30 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S4L23ATMA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014562177
- Артикул
- IPD30N06S4L23ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 96,81 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает широкий ассортимент N-канальныx автомобильныx МОП-транзисторов мощностью 55 В-60 В, использующиx новую теxнологию OptiMOS, в различныx комплектацияx и с диапазоном RDS(on) от 1.
Технические параметры
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 38Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 16V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.023 O |
| Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS T2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Рассеиваемая Мощность | 38Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |