Моя заявка (0)

IPD30N06S4L23ATMA2, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 30 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD30N06S4L23ATMA2, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 30 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000155583
Артикул
IPD30N06S4L23ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS
Pin Count
3
Вес, г
0.1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 203 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPD30N06S4L-23, SP001028638 • Силовой транзистор Optima® -T2 • N-канальный, режим усиления • Соответствует стандарту AEC Q101 для автомобильной промышленности • 100%-ная лавинная проверка

Технические параметры

SeriesOptiMOS
Pin Count3
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-252
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation38Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Gate Threshold Voltage16V
Maximum Drain Source Resistance0.023 O
Drain Source On State Resistance0.018Ом
Maximum Continuous Drain Current30 A
Линейка ПродукцииOptiMOS T2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока30А
Рассеиваемая Мощность38Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.018Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А23
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.018 Ом

Техническая документация