IPD30N06S4L-23-VB, TO252 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025237645
- Артикул
- IPD30N06S4L-23-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.39
- Корпус
- to252
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 100W
Цена по запросу
(от 75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.39 |
| Корпус | to252 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 100W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.5nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 45A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 60pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 25mΩ@10V, 15A |