IPD30N06S2L13ATMA4, Power MOSFET, N Channel, 55 V, 30 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8492217331
- Артикул
- IPD30N06S2L13ATMA4
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.3
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 235 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор Infineon OptiMOS обеспечивает высокую пропускную способность по току и минимальные потери мощности при переключении и проводимости при высочайшей тепловой эффективности.
Технические параметры
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.3 |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.013 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 136 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0106 Ом |