OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V, 3-Pin DPAK IPD30N06S223ATMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553516
- Артикул
- IPD30N06S223ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.5 mm
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка продуктов Infineon OptiMOS выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 18 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.023 O |
| Время нарастания | 23 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Другие названия товара № | IPD30N06S2-23 SP001061722 |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 23 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |