IPD30N06S215ATMA2, Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002218413
- Артикул
- IPD30N06S215ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 19 ns
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 220 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 28 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD30N06S2-15 SP001061724 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 41 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0147 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 215 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 136 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |