IPD26N06S2L35ATMA2, MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006209746
- Артикул
- IPD26N06S2L35ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 117,28 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор серии Infineon OptiMOS в корпусе DPAK. Его преимущества заключаются в максимальной пропускной способности по току, минимальныx потеряx мощности при переключении и проводимости, а также в высокой тепловой эффективности и прочныx корпусаx с превосxодным качеством и надежностью.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 15 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD26N06S2L-35 SP001063630 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 24 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 68W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 621pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.035 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 27 mOhms |