Моя заявка (0)
IPD25N06S4L30ATMA2, MOSFETs MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008722610
Артикул
IPD25N06S4L30ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 102,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 25A Автомобильный 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
Width6.22 mm
Height2.3 mm
Length6.5 mm
SeriesOptiMOS™-T2
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
TechnologySi
Вес, г77
PCB changed2
Part StatusActive
Unit Weight0.139332 oz
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerInfineon
Package TypeDPAK(TO-252)
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3
Part # AliasesIPD25N06S4L-30 IPD25N06S4L30XT SP001028636
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Number of Channels1 Channel
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity2500
Standard Package NameTO-252
Typical Fall Time (ns)2
Typical Rise Time (ns)1
Особенности-
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Power Dissipation (mW)29000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)12.5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)12.5 10V
Maximum Drain Source Resistance0.3 Ω
Maximum Gate Source Voltage (V)±16
Typical Turn-On Delay Time (ns)6
Maximum Continuous Drain Current25 A
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)15
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)25
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)935 25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)30 10V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.023 Ом

Техническая документация