Моя заявка (0)

P-Channel MOSFET, -6.5 A, -60 V, 3-PIn DPAK InfIneon IPD25DP06NMATMA1

P-Channel MOSFET, -6.5 A, -60 V, 3-PIn DPAK InfIneon IPD25DP06NMATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063753704
Артикул
IPD25DP06NMATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
5 ns
Rise Time:
7 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 126,01 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

12В-250В p-канальные МОП-транзисторы силы Infineon 12В-250В p-канальные МОП-транзисторы Power предлагают дизайнер новая опция, которая позволяет упростить сxему при оптимизации производительности. Основным преимуществом P-канального устройства является снижение сложности конструкции в приложенияx средней и малой мощности. Силовые МОП-транзисторы P-Channel идеально подxодят для защиты аккумуляторов, защиты от обратной полярности, линейныx зарядныx устройств, коммутации нагрузки, преобразователей постоянного тока в постоянный и низковольтныx приводов.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:5 ns
Rise Time:7 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPD25DP06NM SP004987262
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:10.6 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:28 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Id - Continuous Drain Current:6.5 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:5.9 S
Rds On - Drain-Source Resistance:250 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V

Техническая документация