IPD25DP06NMATMA1, OptiMOS Type P-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030998843
- Артикул
- IPD25DP06NMATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 7 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 168,68 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы Infineon в корпусе DPAK представляют собой новую теxнологию, предназначенную для управления батареями, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD25DP06NM SP004987262 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 28 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5.9 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |