IPD25CN10NGATMA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8471323107
- Артикул
- IPD25CN10NGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 23 nC
- V(DS)
- 100 V
- Width
- 7.47mm
- P(tot)
- 71 W
Цена по запросу
(от 211 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство N-канальныx устройств Infineon OptiMOS™2 обладает самым низким в отрасли сопротивлением при включении в своей группе напряжений.
Технические параметры
| Q(g) | 23 nC |
| V(DS) | 100 V |
| Width | 7.47mm |
| P(tot) | 71 W |
| Series | IPD25CN10N G |
| Package | DPAK |
| R(thJC) | 2.1 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | OptiMOS 2 |
| Вес, г | 4 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Корпус | TO-252 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 25 mOhm |
| I(D)at Tc=25°C | 35 A |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 71 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 26 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.019 Ом |