Моя заявка (0)

IPD22N08S2L50ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD22N08S2L50ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000125754
Артикул
IPD22N08S2L50ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.1
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-252
Power Dissipation
75Вт
Цена по запросу
(от 275 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPD22N08S2L-50, SP000252163

Технические параметры

Вес, г0.1
Channel TypeN Channel
КорпусTO-252
Power Dissipation75Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Drain Source On State Resistance0.0385Ом
Линейка ПродукцииOptiMOS
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока27А
Рассеиваемая Мощность75Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.6В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds75В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0385Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0385 Ом

Техническая документация