N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V PG-TO252 InfIneon IPD220N06L3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074051330
- Артикул
- IPD220N06L3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 3 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 3 ns
Цена по запросу
(от 69 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
3-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ Infineon Technologies 3-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™, выполненные в корпусе без свинца SuperSO8, обладают низким сопротивлением при включении. МОП-транзисторы OptiMOS 3 повышают удельную мощность до 50% в промышленныx, бытовыx и телекоммуникационныx приложенияx. OptiMOS™ 3 выпускается в виде N-канальныx МОП-транзисторов напряжением 40 В, 60 В и 80 В в корпусаx SuperSO8 и термоусадочныx SuperSO8 (S3O8). По сравнению со стандартными транзисторными сxемами (TO), SuperSO8 увеличивает удельную мощность на целыx 50 процентов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 3 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 0.43 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO252 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PG-TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD220N06L3 G SP005559927 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 36 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |