Моя заявка (0)

IPD Type N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V N TO-252 IPD220N06L3GATMA1

IPD Type N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V N TO-252 IPD220N06L3GATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973780
Артикул
IPD220N06L3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
3 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
3 ns
Цена по запросу
(от 260,36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon OptiMOS 60V - это идеальный выбор для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания, такиx как серверы, настольные компьютеры и зарядные устройства для планшетов.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:3 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:3 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TO252
Subcategory:MOSFETs
Корпусto252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PG-TO-252-3
Part # Aliases:IPD220N06L3 G SP005559927
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:36 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:16 S
Maximum Continuous Drain Current30 A
Rds On - Drain-Source Resistance:22 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация