IPD200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; Idm: 200А; 150Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070099199
- Артикул
- IPD200N15N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 23 nC
- V(DS)
- 150 V
- Width
- 9.45mm
- P(tot)
- 150 W
Цена по запросу
(от 235,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon IPD200N15N3 G is 150V OptiMOS обеспечивает снижение RS(on) на 40% и на 45% по показателю полезного действия (FOM) по сравнению со следующим лучшим конкурентом.
Технические параметры
| Q(g) | 23 nC |
| V(DS) | 150 V |
| Width | 9.45mm |
| P(tot) | 150 W |
| Series | IPD200N15N3 G |
| Package | DPAK |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | OptiMOS3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 20 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 50 A |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |