IPD180N10N3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013323157
- Артикул
- IPD180N10N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Длина:
- 6.5 mm
- Высота:
- 2.3 mm
- Ширина:
- 6.22 mm
Цена по запросу
(от 92 ₽)
Минимальный заказ: 330 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор MV POWER MOS
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина: | 6.5 mm |
| Высота: | 2.3 mm |
| Ширина: | 6.22 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 5 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | Infineon |
| Торговая марка: | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок: | TO-252-3 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 25 nC |
| Время нарастания: | 12 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 71 W |
| Другие названия товара №: | IPD180N10N3 G SP000900132 |
| Id - непрерывный ток утечки: | 43 A |
| Размер фабричной упаковки: | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 18 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 100 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения: | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 43 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 20 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 71 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18 mOhms |