Моя заявка (0)
IPD15N06S2L64ATMA2, TO-252-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070165443
Артикул
IPD15N06S2L64ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS
Pin Count
3
Fall Time:
12 ns
Цена по запросу
(от 69,92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка продуктов Infineon OptiMOS выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS
Pin Count3
Fall Time:12 ns
Rise Time:14 ns
Вес, г0.65
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-252
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:TO-252-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPD15N06S2L-64 SP001063644
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:47 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:4 ns
Maximum Drain Source Voltage55 V
Typical Turn-Off Delay Time:21 ns
Id - Continuous Drain Current:19 A
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.064 O
Maximum Continuous Drain Current19 A
Rds On - Drain-Source Resistance:47 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:55 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация