Моя заявка (0)

IPD14N06S280ATMA2, Power MOSFET, N Channel, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD14N06S280ATMA2, Power MOSFET, N Channel, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001887954
Артикул
IPD14N06S280ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS
Pin Count
3
Вес, г
0.68
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 151 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка продуктов Infineon OptiMOS выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.

Технические параметры

SeriesOptiMOS
Pin Count3
Вес, г0.68
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-252
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation47Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage55 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.08 O
Drain Source On State Resistance0.05Ом
Maximum Continuous Drain Current17 A
Линейка ПродукцииOptiMOS
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока17А
Рассеиваемая Мощность47Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds55В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.05Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А280
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.05 Ом

Техническая документация