Моя заявка (0)

IPD135N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IPD135N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001222747
Артикул
IPD135N03LGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
1PCSNChannel
RDS-on
13.5@10V mOhm
Package
3TO-252
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 45 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 30V 30A DPAK-2

Технические параметры

Type1PCSNChannel
RDS-on13.5@10V mOhm
Package3TO-252
MountingSurface Mount
Rad HardNo
PackagingTape & Reel
Вес, г1
Длина6.5 mm
СерияOptiMOS 3
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
RoHS CompliantYes
УпаковкаReel, Cut Tape
Typical Fall Time2.2 ns
Typical Rise Time3 ns
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Operating Temperature-55 to 175 ?C
Вид монтажаSMD/SMT
Power Dissipation (Pd)31W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)10nC@10V
Typical Turn-On Delay Time3 ns
Maximum Gate Source Voltage?20 V
Typical Turn-Off Delay Time12 ns
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-252-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)1nF@15V
Maximum Drain Source Voltage30 V
Continuous Drain Current (Id)30A
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Continuous Drain Current30 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Другие названия товара №G IPD135N03L IPD135N3LGXT SP000796912
Id - непрерывный ток утечки30 A
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Размер фабричной упаковки2500
Rds Вкл - сопротивление сток-исток13.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация