Транзистор, -55…+175°С, IPD122N10N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057777658
- Артикул
- IPD122N10N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- MOSFET
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100 В 59 А 94 Вт PG-TO252-3
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 1 |
| Время | задержки включения/выключения-24/14 нс |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Mounting Type | SMD |
| Supplier Package | DPAK |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-94 Вт |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |
| Process Technology | OptiMOS 3 |
| Емкость, пФ | 2500 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-3.5 В |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 59 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 94000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 26 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 26@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Заряд затвора, нКл | 26 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 59 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1880@50V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 12.2@10V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 94 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 12.2 |