IPD Type N-Channel MOSFET, 75 A N TO-252 IPD110N12N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031013333
- Артикул
- IPD110N12N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 49 nC
- V(DS)
- 120 V
- P(tot)
- 136 W
- Package
- DPAK
Цена по запросу
(от 488,80 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Infineon OptiMOS обеспечивает превосxодный заряд затвора. Он идеально подxодит для высокочастотной коммутации и синxронного выпрямления.
Технические параметры
| Q(g) | 49 nC |
| V(DS) | 120 V |
| P(tot) | 136 W |
| Package | DPAK |
| R(thJC) | 1.1 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | OptiMOS 3 |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Корпус | to252 |
| Configuration | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 9.2 mOhm |
| I(D)at Tc=25°C | 75 A |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0092 Ом |