Моя заявка (0)

IPD110N12N3G-VB, 100V 18A 115mOhm@10V N Channel TO-252 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025239841
Артикул
IPD110N12N3G-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.37
Корпус
TO-252
Структура
N-Channel
Особенности
-
Цена по запросу
(от 141 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.37
КорпусTO-252
СтруктураN-Channel
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт96
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)115мОм