OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD100N06S403ATMA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033013687
- Артикул
- IPD100N06S403ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS™-T2
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 287,07 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS®-T2 имеет максимальное напряжение стока-истока 100 В, N-канальный, автомобильный MOSFET, в корпусе DPAK(TO-252).
Технические параметры
| Series | OptiMOS™-T2 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Структура | 2 N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0035 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0028Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS T2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0028Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |