Моя заявка (0)

IPD100N04S402ATMA1, Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

IPD100N04S402ATMA1, Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001294081
Артикул
IPD100N04S402ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 530 ₽)
Минимальный заказ: 57 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 40V 100A Автомобильный 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Process TechnologyOptiMOS-T2
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
Typical Fall Time (ns)24
Typical Rise Time (ns)12
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)150000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)91
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)91@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)23
Maximum Drain Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)26
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)100
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)7250@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)2@10V
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)400
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А402
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация