IPD100N04S4-02, MOSFETs N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007186543
- Артикул
- IPD100N04S4-02
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS-T2
- Fall Time:
- 24 ns
- Rise Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 199,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 40В 100А To252-3
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS-T2 |
| Fall Time: | 24 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | SP000646184 IPD1N4S42XT IPD100N04S402ATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 91 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.7 mOhms |