Моя заявка (0)

IPD096N08N3GATMA1, 80V 73A 9.6mOhm@46A,10V 100W N Channel TO-252-3 MOSFETs

IPD096N08N3GATMA1, 80V 73A 9.6mOhm@46A,10V 100W N Channel TO-252-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025236273
Артикул
IPD096N08N3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Automotive
Yes
Цена по запросу
(от 131,75 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 80 В, 73 А, TO-252; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 73 А; Напряжение источника стока Vds: 80 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0079 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:2,8 В; Военнопленный

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г0.52
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-252
Supplier PackageDPAK
Power Dissipation100Вт
Process TechnologyOptiMOS 3
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature - (??C)-55~175
Drain Source On State Resistance0.0079Ом
Maximum Power Dissipation - (mW)100000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)26
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)26@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Линейка ПродукцииOptiMOS 3
Maximum Drain Source Voltage - (V)80
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)3.5
Maximum Continuous Drain Current - (A)73
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)1810@40V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)9.6@10V
Непрерывный Ток Стока73А
Пороговое Напряжение Vgs2.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А73
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)9.6мОм

Техническая документация