Моя заявка (0)

IPD088N06N3G, Транзистор N-MOSFET 60В 50A 71Вт 0.0088Ом [TO-252 / DPAK.]

IPD088N06N3G, Транзистор N-MOSFET 60В 50A 71Вт 0.0088Ом [TO-252 / DPAK.]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9001634754
Артикул
IPD088N06N3G
Бренд
Youtai Semiconductor (UMW)
Вес, г
0.45
Корпус
DPAK
Структура
N-Channel
Крутизна характеристики, S
57
Цена по запросу
(от 38,50 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.45
КорпусDPAK
СтруктураN-Channel
Крутизна характеристики, S57
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт71
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8.8 мОм/50А, 10В

Техническая документация