Моя заявка (0)
IPD082N10N3GATMA1, MOSFETs IFX FET 80 - 100V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005505275
Артикул
IPD082N10N3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
42 nC
V(DS)
100 V
P(tot)
125 W
Series
OptiMOS 3
Цена по запросу
(от 208,76 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPD082N10N3 G, SP001127824 • Силовой транзистор OptiMOS™3 • N-канальный, нормальный уровень заряда • Отличный заряд затвора x RDS(включен) (FOM) • Очень низкое сопротивление при включении • Соответствует требованиям стандарта JEDEC для целевого применения • Идеально подxодит для высокочастотной коммутации и синxронного выпрямления

Технические параметры

Q(g)42 nC
V(DS)100 V
P(tot)125 W
SeriesOptiMOS 3
PackageDPAK
R(thJC)1.2 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyOptiMOS
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-252
Вес, кг6.21
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V7 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C80 A
Power Dissipation125Вт
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.0082 O
Drain Source On State Resistance0.007Ом
Maximum Continuous Drain Current80 A
Линейка ПродукцииOptiMOS 3
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока80А
Рассеиваемая Мощность125Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.007Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация