Моя заявка (0)

IPD068N10N3G, 100V 90A 150W 6.8mOhm@10V,90A 3.5V@90uA N Channel TO-252-3 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017595062
Артикул
IPD068N10N3G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
1PCSNChannel
Packaging
Tape & Reel(TR)
Вес, г
0.49
Manufacturer
Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 267,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

100 В 90 А 150 Вт 6.8mOhm@10V,90 A 3.5V@90uA 1 шт. одноканальныx МОП-транзисторов TO-252-3 ROHS

Технические параметры

Type1PCSNChannel
PackagingTape & Reel(TR)
Вес, г0.49
ManufacturerInfineon Technologies
КорпусTO-252
Package / CaseTO-252-2(DPAK)
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)150W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage3.5V @ 90uA
Total Gate Charge (Qg@Vgs)68nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.91nF@50V
Continuous Drain Current (Id)90A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C)150W
Rds On - Drain-Source Resistance6.8mΩ @ 90A, 10V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C90A
Пороговое напряжение на затворе3.5V@90uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт150
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6.8mΩ@90A, 10V

Техническая документация