IPD060N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 43А, 56Вт, PG-TO252-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070189065
- Артикул
- IPD060N03LGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Case
- PG-TO252-3
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPD060N03LGATMA1 производителя INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. Способен обеспечивать ток стока до 43 А при напряжении сток-исток 30 В и мощности 56 Вт. Одной из ключевых особенностей данного транзистора является низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,006 Ом, что обеспечивает эффективную и экономичную работу в различных электронных устройствах. Компактный корпус PG-TO252-3 гарантирует легкость интеграции в современные печатные платы. Транзистор IPD060N03LGATMA1 – идеальный выбор для разработчиков, стремящихся к оптимизации энергопотребления и повышению надежности своей электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 43 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 56 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.006 Корпус PG-TO252-3
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Case | PG-TO252-3 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Вес, г | 0.38 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | Single |
| Drain current | 43A |
| Package Width | 6.22 |
| Package Height | 2.3 |
| Package Length | 6.5 |
| Kind of channel | enhancement |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Power dissipation | 56W |
| Process Technology | OptiMOS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 6mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 3 |
| Typical Rise Time (ns) | 3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 56000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22@10V|10.8@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1700@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6@10V |