Моя заявка (0)

IPD055N08NF2SATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD055N08NF2SATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016170343
Артикул
IPD055N08NF2SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1.75
Channel Type
N Channel
Package Type
PG-TO252-3
Корпус
TO-252
Цена по запросу
(от 238 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений, такиx как SMPS, электропривод, питание от батарей, управление аккумуляторами, ИБП и легкие электромобили.

Технические параметры

Вес, г1.75
Channel TypeN Channel
Package TypePG-TO252-3
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation107Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage80 V
Drain Source On State Resistance0.0047Ом
Maximum Continuous Drain Current98 A
Линейка ПродукцииStronglRFET Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока98А
Пороговое Напряжение Vgs3.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А98
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0047 Ом

Техническая документация